宽禁带半导体检测加工一站式行业解决方案

测试内容

相关方法或仪器

仪器

单晶片/几何尺寸

直径、厚度、主/次定位边及偏差/mm; （2~6寸）

游标卡尺（精度0.02 mm）； 测厚仪（精度0.5 um）

单晶片/晶体取向

定位边取向和晶面取向（2~6寸）

X射线定向仪定向（丹东新东方）

单晶片/宏观缺陷

裂纹、六方空洞、多型、崩边；（2~6寸）

肉眼观察、紫外灯观察、拉曼光谱

单晶片/平整度

平整度，TTV、LTV、Warp、Bow等（2~6寸）

平整度测试仪；光学轮廓仪（3D）

单晶片/表面缺陷

划痕、凹坑、橘皮（2~6寸）

光学显微镜；表面缺陷分析仪； （KLA-CS 100/920）

单晶片/粗糙度

粗糙度

原子力显微镜AFM

单晶片/微管密度

体内缺陷、微管密度

偏光显微镜50X或者表面缺陷检测仪

单晶片/位错密度

位错密度：单位面积数量

KOH腐蚀后显微鏡观察

单晶片/结晶质量

晶体结晶质量

X射线摇摆曲线半高宽

单晶片/电阻率

低阻：0.01~0.5Q cm 高阻：lE5~lE12Qcm

低阻测试仪（日本）； 非接触式高阻测试仪（德国） -高阻、低阻

单晶片/金属离子玷污

金属离子玷污

ICP-MS；原子吸收光谱 反射X射线荧光光谱

单晶片/阴离子污染度

阴离子玷污

离子色谱；化学滴定方法

单晶片/有机物污染

高分子有机物污染、油脂类

FTIR；红外ATR

单晶片/掺杂浓度

掺杂浓度

非接触电阻率测试（扫描）

普通电阻率

单晶片/元素杂质

杂质元素

GD-MS

单晶片/显微形貌

高倍率形貌分析

扫描电镜SEM ；透射电镜TEM

单晶片/成分分析

B以上的元素分析

场发射SEM+EDS

单晶片/显微缺陷

nm级显微缺陷分析

透射电镜

单晶片/透射制样

透射电镜样品制备

聚焦离子束FIB；场发射透射电镜

SIMS/杂质浓度

杂质浓度含量分析AI、V、N等

SIMSCamecalMS7f

应力检测/应力分布

4寸及6寸双抛单晶片的应力分布

红外偏光应力测试仪

测试内容

相关方法或仪器

仪器

外延片/外延厚度

SiC/SiC外延层或SiC/GaN层

红外光谱仪/SEM截面

外延片/载流子浓度

载流子浓度

Hg探针CV测试

外延片/表面缺陷

表面缺陷：三角形、胡萝卜、颗粒缺陷

光学表面缺陷分析仪

外延片/粗糙度检测

粗糙度检测

原子力显微镜

外延片/微管密度

微管密度：穿透性体缺陷；

偏光显微镜；表面缺陷分析仪

外延片/电阻率

低阻：0.01-0.5 G em

高阻：1E5-1E12 Ocm

低阻测试仪（日本） 高阻测试仪（德国）

外延片/载流子浓度

载流子浓度及其均匀性

外延片/结晶质量

晶体结晶质量，摇摆曲线

高分辨XRD； XRD mapping功能

外延片/表面缺陷

位错、缺陷

SEM-CL (GaN)

外延片/金属离子玷污

金属离子玷污

ICP-MS；原子吸收光谱；TXRF

外延片/阴离子污染度

阴离子玷污

离子色谱；化学滴定方法

外延片/有机物污染

高分子有机物污染、油脂类

红外 FTIR+ATR

外延片/掺杂浓度

掺杂浓度

霍尔效应；二次离子质谱； 电化学CV

外延片/元素杂质

杂质元素

GD-MS

外延片/显微形貌

高倍率形貌分析

扫描电镜SEM ；透射电镜TEM

外延片/成分分析

B以上的元素分析

场发射SEM+EDS

外延片/显微缺陷

nm级显微缺陷分析

透射电镜

外延片/透射制样

透射电镜样品制备

聚焦离子束FIB；场发射透射电镜

外延片/元素表面态

表面元素分布及化合价态

X射线光电子能谱XPS

SRP/载流子浓度

载流子浓度随着深度变化

SRP Semilab

SMIS/掺杂浓度

掺杂浓度随着深度的变化

SIMSCameca IMS7f

测试内容

相关方法或仪器

仪器

光刻掩模版制备/光刻工艺

Stepper版图加工

5009石英板，适用0.35um工艺

芯片加工/光刻工艺

0.35um及以上光刻

步进式曝光机，6寸及以下接触式 曝光,lum以上线条

高能离子注入/离子注入

注入能量＜960keV,剂量1E14

高能离子注入机

高能氢离子注入/离子注入

常规注入条件

高能氢离子注入机

刻蚀/干法刻蚀

SiC刻蚀,SiO2刻蚀，SiNx及多晶硅刻蚀， 金属刻蚀（Ti/Al）

ICP干法亥蚀机

激光退火/退火工艺

常规退火工艺

激光退火机

高温退火/退火工艺

常规退火温度1650度

高温退火炉

碳膜灰化/碳膜去除

碳膜灰化及碳膜去除

碳膜去除及灰化炉

高温栅氧/栅氧工艺

氧化深度60nm,气氛Ar、NO、N2O 氛围可选

Ak Ti、Ni/湿法工艺

1#, 2#, 3#腐蚀液

湿法腐蚀金属层

Ag、Ak Ti、Ni膜/蒸发工艺

6寸每炉20片，厚度微米级

电子束蒸发炉

Ag、Al、Ti、Ni膜/磁控溅射

6寸每炉20片，厚度微米级

磁控溅射炉

SiO2、SiNx膜/介质膜生长

介质膜生长钝化，2um及以下

PECVD

PI膜/终端区保护膜

PI膜的生长

PI膜生长炉

SiC减薄/背面减薄工艺

UV膜、普通蓝膜，减薄厚度可达200um

磨抛机

激光打标/后道工艺

晶圆表面制作mark

激光打标机

电参数测试/晶圆测试

静态、动态参数的CP测试

动静态源表，探针台

椭偏仪/晶圆测试

介质膜厚度及折射率测试

光学椭偏仪

激光剥离/后道工艺

GaN厚膜的激光剥离

紫外激光加工系统

原子层沉积/ALD工艺

AI2O3、HfCh薄膜沉积

ALD薄膜生长系统

芯片解析/器件分析

SiC/GaN等器件结构的分析

器件分析技术解决方案

FIB加工/器件分析

器件结构及截面工艺分析

聚焦离子束FIB系统

测试内容

参数

仪器

功率器件/开关时间参数（动态）

Td (on) , Tr, Td (off) , Tf

动态参数测试系统

功率器件/栅电荷

Qg, Qgs, Qgd, Vp, Qth

栅电荷测试仪

功率器件/反向恢复参数

Ta, Tb, Trr, Qrr, Irm, di/dt, dv/dt

动态参数测试系统

功率器件/开关时间和开关损耗

Eon, Eoff： Td (on) , Tr, Td (off) , Tf, Tt

动态参数测试系统

功率器件/IGBT短路耐量

Isc, Esc, Tsc

半导体功率器件动态测试系统

功率器件/雪崩能量

EAS, EAR, IA, VA,固定电感测电流和固 定电流测电感

半导体功率器件雪崩能量 测试系统

功率器件/结电容参数

Ciss, Coss, Crss.C-V曲线(0-1200V)

半导体测试系统

功率器件/栅极串联等效电阻

Rg

静态测试系统

功率器件/正向跨导和最大脉冲漏极 电流

Gfs, Idm

半导体功率器件静态测试系统

功率器件/高低温偏置

-40oC,100oC 两点

高压栅偏、反偏测试

功率器件/热阻曲线

ZthJC不同占空比条件下瞬态热阻抗,SOA安 全工作区，升温曲线，冷却曲线,微分结构函数 曲线,积分结构函数曲线,R-C网络结构

稳态热阻测试系统

功率器件/瞬态热阻

热阻曲线/结壳、结热沉、结环境热阻值的测试

热阻测试仪

功率器件/浪涌测试

8.3ms半正玄波测试，直到器件失效

浪涌参数测试仪

功率器件/产品的规格书Datasheet 测试及制作

包括全部电，热参数的测试，数据处理， 最后提供PDF格式的datasheet文件以及 全部的原始数据和波形

Datasheet测试仪

功率器件/高电压功率参数综合测试

最高测试电压达10KV,最大测试电流达500A

功率器件分析仪/曲线追踪仪

功率器件/DC/RF测试、闪烁噪声测 试、低漏电、低电容测试、晶圆可 靠性测试

最高测试电压达10KV,最大测试电流达200A

高压探针台

功率器件/功率器件的输出特性曲线， 击穿曲线

功率器件的输出特性曲线，击穿曲线

高压大电流图示仪

功率器件/脉冲闩锁特性

脉冲闩锁特性

传输线脉冲发生器

超快脉冲IV特性测/阻变存储器跳 变过程

超快脉冲IV特性测/阻变存储器跳变过程

传输线脉冲发生器

检测项目

检测内容

仪器

高低温贮存试验

最高温度300°C 最低温度-65°C

高温箱容积0.125m3x2 低温箱容积：0.12m3

高温试验箱 高低温试验箱

温度冲击试验

最高温度175°C 最低温度-65°C 0.108m3

温度冲击试验箱

温度循环试验

温变速率15°C/min (-55°C~125°C非线性)

(-40°C~85°C线性) 容积：0.225m3

快速温变试验箱

热冲击试验

最高噩150°C 剧氐留只：0.02m3

热冲击试验箱

湿热试验

最高温度85°C 最大湿度98%RH

湿热试验箱

HAST/PCT 试验

最高温度150°C 最大湿度100%RH

容积：0.09m3 工位：720个

高加速寿命试验箱

吉汩吉汩 冋/皿冋/业

反偏试验

最高温度85°C 最大湿度98%RH最大工位192个

最大反向电压600V

高温高湿反偏试验系统

间歇寿命试验

最大电流100A 最大工位48个

二极管间歇寿命试验系统

高温反偏试验

最大电压5000V 最高温度250°C 最大工位720个

高温反偏试验系统

高温栅偏试验

最大电压300V 最高温度250°C 最大工位1024个

高温栅偏试验系统

恒流老化试验

最大电流100A 最大工位48个

MOS管间歇寿命试验系统

盐雾试验箱

(l~3)ml/80cm2h 0.27m3

盐雾试验箱

机械冲击台

重量＜100Kg 最大跌落高度：1600mm

机械冲击台

扫频震动台

20-2000HZ

扫频震动台

氮质谱检漏仪

漏率 RlW5.0X10-3Pa?cm3/s (He)或

5.0x 10-8atm*cm3/s (He)

氮质谱检漏仪

氮气氟油加压检漏装置

充气压力：Wl.OMPa

筑气氟油加压检漏装置

重氟油加热仪

从室温到125°CW30分钟

重氟油加热仪

测试内容

相关方法或仪器

仪器

显微镜拍照

实体显微镜

实体显微镜

X射线分析

X射线分析，无损拍照内部形貌

X射线检测设备

超声扫描显微镜分析

超声扫描显微镜分析，内部水汽缺陷定位

超声扫描显微镜系统

红外热成像分析

红外热成像分析，内部发热点定位

热成像显微镜

SEM电镜分析

SEM电镜分析，形貌尺寸，厚度成分测试

台式电子扫描显微镜

EMMI&OBIRCH 分析

MMIROBIRCH分析，定位失效热点

EMMI及OBIRCH测试仪

三维X射线检测

三维X射线检测，内部三维结构成像

三维X射线(CT)

抗静电能力测试

HBM, MM, CDM测试

静电测试仪&ESD测试

聚焦离子束

FIB切割观察，失效位置形貌表征

FIB聚焦离子束

器件的镀层厚度

衬底上薄膜厚度测量

X射线荧光测量系统

EBIC

电子束诱导电流成像

SEM+EBIC 系统